掺杂气体（掺杂气体）

掺杂气体（DopantGases）：在半导体器件和集成电路的制造中，将一些或某些杂质掺杂到半导体材料中，以使该材料具有所需的导电类型和一定的电阻率，用于制造PN结，电阻，埋层掺杂过程中使用的气体掺杂源称为掺杂气体。主要包括a，膦，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷。通常，掺杂源和载气（例如氩气和氮气）在源机柜中混合。混合后，气流连续流入晶片周围的扩散炉，化合物掺杂物沉积在晶片表面，然后与硅反应生成掺杂剂。金属迁移到硅中。